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袁国亮:几种柔性铁电薄膜及其应用
2018-08-23 11:36   审核人:

报告题目:几种柔性铁电薄膜及其应用

   人:袁国亮  教授,博士生导师,洪堡学者,JSPS研究员

       间:2018827 上午1000-1100

报告地点:物理与电子学院15组团B304

主办单位:光伏材料省重点实验室

内容简介PbZr0.52Ti0.48O3BaTiO3等氧化物材料具有优异的压电、介电和多铁性能,被广泛应用在多层陶瓷电容器中。但是大尺度ABO3型氧化物材料在柔性电子器件中的应用面临一些亟待解决的难题:ABO3型氧化物材料的弹性应变小,单晶和陶瓷非常坚硬且容易断裂;而目前绝大部分薄膜均生长在SiSrTiO3SiO2等硬质基片上,若进行大幅度弯曲,基片会发生断裂。

柔性电子器件和可穿戴设备的蓬勃发展带动了对氧化物薄膜和器件柔性的巨大需求。鉴于云母是耐高温、抗氧化的二维材料,厚度为100纳米的云母基片的弯曲半径可达0.1毫米以下。在该基片上制备的PbZr0.52Ti0.48O3BaTiO3样品具有优越的综合存储性能。更重要的是,该样品具有优越的抗弯曲性能和半透明的特征,在1.4毫米弯曲半径下样品能够保持与原始平整样品一致的阻变性质,在3毫米半径下弯曲1万次之后样品毫发无损,存储性质也没有明显变化。

个人简介:南京理工大学袁国亮从2000年开始研究铁电材料,2004年开始研究BiFeO3等多铁性材料,在如何提高BiFeO3多铁和宽禁带半导体的绝缘性、铁电性、压电性和磁性方面做了不少研究工作,相关论文被引用2500余次。2009年开始研究BiFeO3材料的铁电半导体性质;2012年起研究BiFeO3等铁电材料的铁电畴精细结构调控、半导体输运特征、铁电光伏原型器件和阻变存储器。发表约120SCI论文 (其中包括Nature Comm. (2)Adv. Mater.(4)Angew. Chem. Int. Edit.(1), Sci. Adv.(1)),相关中国发明专利10项。

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