谢茂海：关于单层MoSe2中一维镜面畴界之电子态的空间 调制问题（2021/01.07）

报告人：谢茂海 教授 香港大学物理系

时 间：2021年1月7日上午10：30

报告地点：物理楼B座304室

主办单位：光伏材料省重点实验室拓扑功能材料研究中心

报告题目：关于单层MoSe₂中一维镜面畴界之电子态的空间调制问题

报告摘要：

   大量实验表明，在外延的MoSe₂单层薄膜中会自发形成大量的镜面畴界，而该畴界表现为一维金属，其低能激发态呈现出一系列奇特物性。其中一个比较明显的实验特征为空间电荷周期调制，其起源在文献中已提出不同的建议，如量子限制效应、电荷密度波、Moiré效应、Luttinger液体等等。我们通过选择不同衬底进行MoSe₂薄膜外延生长、通过调节生长条件控制MoSe₂薄膜中镜面畴界的长度，并对其进行细致的低温扫描隧穿电镜及谱的测量，从而确立一维畴界之电子金属态的量子限制效应和Friedel震荡是实验上观测到的空间电荷调制的主要原因，而且，在石墨或石墨烯上的MoSe₂畴界，其低能激发态与Luttinger液体行为一致，而在金衬底上的同类畴界更像费米液体。我们基本上排除了Peierls电荷密度波的贡献。

报告人简介：

   谢茂海教授予1985年毕业于天津大学电子工程系，1988年获中国科学院半导体研究所物理学硕士学位，1994年获伦敦大学（帝国学院）物理学博士学位。他于1995至1997年在伦敦帝国学院做博士后研究，1997年加入香港大学物理系，担任助理教授、副教授和全职教授。2017年1月至2020年12月，担任香港大学物理系主任。2009至2013年，担任香港物理学会主席。谢教授的研究主要是实验凝聚态物理，特别是分子束外延薄膜生长，利用扫描隧道显微镜进行表面表征、电子衍射和光电子光谱研究。他的研究课题包括半导体的外延薄膜和异质结构（例如，GaAs/InGaAs、Si/SiGe、GaN/InGaN）、拓扑绝缘体（例如Bi₂Se₃），最近主要研究二维过渡金属硫族化合物（例如MoSe₂、WSe₂和MoTe₂）。他在Nature, Science, Phys. Rev. Lett.等国际学术期刊上发表了论文150多篇。