姓名：J.H.Cho
邮箱：chojh@hanyang.ac.kr
职称：教授
研究方向：凝聚态物理
教育与科研经历:
1979.03-1983.02 韩国汉阳大学物理系 物理学士学位
1984.03-1986.02 韩国首尔国立大学物理系 物理硕士学位
1991.03-1994.08 韩国浦项科技大学物理系 物理博士学位
1995.04-1996.02 德国马普学会Fritz-Haber研究所 博士后
1996.03-1997.02 日本原子技术联合研究中心 博士后
1997.03-1998.08 美国橡树岭国家实验室 研究助理
1998.09-1999.10 美国再生能源国家实验室研究助理
1999.11-2000.03 韩国韩国浦项科技大学 助理教授
2000.04-2003.08 美国德克萨斯大学奥斯汀分校 研究员
2003.09-2005.08韩国韩国汉阳大学物理系 助理教授
2005.09-2010.08 韩国韩国汉阳大学物理系 副教授
2009.09-2010.02 美国美国田纳西大学 访问教授
2010.09-至今 韩国韩国汉阳大学物理系 教授
主要学术成就：
在Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.、J. Am. Chem.Soc.等国际期刊上发表论文多篇。
主持或参与的主要项目：
韩国国家科学研究基金(2019R1A2C1002975)：过渡金属硫族化合物电荷密度 波及超导性质的理论研究，2018.1-2020.12，1亿韩元；
韩国国家科学研究基金(2014M2B2A9032247)：抑制石墨氧化及缺陷自修复的设计与探索，2014.1-2015.12，5千万韩元，主持。
代表论文及著作：
1. Lin, Z., Choi, J. H., Zhang, Q., Qin, W., Yi, S., Wang, P., Li, L., Wang, Y., Zhang, H., Sun, Z., Wei, L., Zhang, S., Guo, T., Lu, Q., Cho, J. H., Zeng, C. & Zhang, Z., Flatbands and Emergent Ferromagnetic Ordering in Fe3Sn2 Kagome Lattices, Phys.Rev.Lett. 2018, 121, 9, 096401
2. Kim, S. W., Kang, Y. G., Kim, H. J. & Cho, J. H., Comment on “Quasi-One-Dimensional Metal-Insulator Transitions in Compound Semiconductor Surfaces”, Phys. Rev. Lett. 2017, 118, 23, 239601
3. Li, C., Yi, S., Xia, C., Cui, P., Niu, C., Cho, J. H., Jia, Y. & Zhang, Z., Dimensionality and Valency Dependent Quantum Growth of Metallic Nanostructures: A Unified Perspective,Nano Lett. 2016, 16, 10, 6628-6635 8
4. Kim, S. W., Liu, C., Kim, H. J., Lee, J. H., Yao, Y., Ho, K. M. & Cho, J. H., Nature of the Insulating Ground State of the 5d Post-Perovskite CaIrO3, Phys. Rev. Lett. 2015, 115, 9, 096401
5. Zhang, H., Ming, F., Kim, H. J., Zhu, H., Zhang, Q., Weitering, H. H., Xiao, X., Zeng, C., Cho, J. H. & Zhang, Z., Stabilization and Manipulation of Electronically Phase-Separated Ground States in Defective Indium Atom Wires on Silicon, Phys, Rev. Lett, 2014, 113, 19, 196802
6. Kim, H. J. & Cho, J. H., Driving Force of Phase Transition in Indium Nanowires on Si (111),Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 11, 116801
7. Lee, J. H., Kim, H. J. & Cho, J. H., Ferrimagnetic Slater Insulator Phase of the Sn/Ge (111) Surface, Phys. Rev. Lett. 2013, 111, 10, 106403
8. Zhang, H., Choi, J. H., Xu, Y., Wang, X., Zhai, X., Wang, B., Zeng, C., Cho, J. H., Zhang, Z. & Hou, J. G., Atomic structure, energetics, and dynamics of topological soliton in indium chains on Si (111) surfaces, Phys.Rev.Lett. 2011, 106, 2, 026801
9. Choi, J. H. & Cho, J-H., Growth Mechanism of a 1D Molecular Line across the Dimer Rows on H-Terminated Si (001), Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 16, 166102
10. Choi, J. H. & Cho, J-H., Enhanced stability of 1D molecular lines on the h-terminated Si(001) surface, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 24, 246101
11. Choi, J. H. & Cho, J. H.,Theoretical Prediction of Heterogeneous Molecular Wires on the Si (001) Surface, J. Am. Chem.Soc, 2006, 128, 12, 3890-3891 2
12. Choi, J. H. & Cho, J-H., Peierls Instability in One-Dimensional Borine Wire on Si (001), J. Am. Chem.Soc. 2006, 128, 35, 11340-11341 2
