王科范，博士，教授，在Applied Physics Letters, Solar Energy Materials and Solar Cells，Applied Surface Science等国际期刊发表论文多篇, 已授权国家发明专利5项，获美国真空学会(AVS)2007年度“Shop Note Awards”。
教育及工作经历：
2001年7月毕业于济南大学化学与化工学院，高分子材料科学与工程专业，获工学学士学位；
2006年9月毕业于中国科学与技术大学，同步辐射及应用专业，获得工学博士学位，研究方向为超高真空制备Ge/Si自组装量子点及同步辐射结构表征。
2006.09-2010.05，河南大学物理与电子学院，讲师；
2010.05-2017.12，河南大学物理与电子学院，副教授；
2009.10-2012.06 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室，材料科学与工程专业，博士后，研究方向为InAs/GaAs量子点中间带太阳电池和黑硅太阳电池；
2015.06-2017.06 香港中文大学物理系Visiting Scholar 和 Research Fellow，研究方向为共蒸发法制备铜铟镓硒太阳电池；
2018.01-至今，河南大学物理与电子学院和光伏材料省重点实验室，教授。
主要研究方向：
黑硅材料及器件，硅基太阳电池，同步辐射及应用，第一性原理材料模拟。
主持重要研究项目：
国家自然科学基金青年基金（28万）：基于同步辐射的黑硅红外增强吸收机理研究，批准号61204002。
中国博士后科学基金（3万）：高效率InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的研制及相关机制研究，批准号20100470528。
代表性论文和著作：
1. Xiao Nairui, Tang Yehua, Qiu Yali, Liu Duoduo, Wang Ke-Fan*, One-step solution synthesis and stability study of inorganic perovskite semiconductor Cs2SnI6, Solar Energy, 204, 429-439(2020).
2. Li-Ying Zhang, Yong Zhang, Wei-Bao Guan, Ke-Fan Wang*, Zhen-Xiang Cheng*, and Yuan-Xu Wang*, Large enhanced conversion efficiency of perovskite solar cells by CsBr doping, J Mater Sci 52, 13203-13211(2017).
3. Ke-Fan Wang, Pingan Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Optical and electrical properties of textured sulfur-hyperdoped silicon: a thermal annealing study, J Mater Sci, 50, 3391-3398(2015).
4. Ke-Fan Wang, Hezhu Shao, Kong Liu, Shengchun Qu, Yuanxu Wang, Zhanguo Wang, Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen-hyperdoped silicon, Appl. Phys. Lett. 107, 112106 (2015).
5. Ke-Fan Wang, Shengchun Qu, Dewei Liu, Kong Liu, Jian Wang, Li Zhao, Hongliang Zhu, Zhanguo Wang, Large enhancement of sub-band-gap light absorption of sulfur hyperdoped silicon by surface dome structures, Materials Letters, 2013, 107, 50-52.
6. Xiaoguang Yang, Kefan Wang, Yongxian Gu, Haiqiao Ni, Xiaodong Wang, Tao Yang, Zhanguo Wang, Improved efficiency of InAs/GaAs quantum dots solar cells by Si-doping, Solar Energy Materials & Solar Cells, 2013, 113, 144-147.
7. Ke-Fan Wang, Yongxian Gu, Xiaoguang Yang, Yang Tao, Si delta doping inside InAs/GaAs quantum dots with different doping densities, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2012, 30, 041808-1-041808-6.
8. Ke-Fan Wang, Cheng-Xiao Peng, Wenhua Zhang, Weifeng Zhang, Sub-10-nm multifacet domelike Ge quantum dots grown on clean Si (001) (2×1) surface, Applied Physics A, 2011, 104, 573-578.
9. Wang Ke-Fan, Zhang Yang, Zhang Weifeng, Morphology and photoluminescence of ultrasmall size of Ge quantum dots directly grown on Si(0 0 1) substrate, Applied Surface Science, 2012, 258, 1935-1939.
10. Xilei Zhao, Ke-Fan Wang*, Weifeng Zhang, Mingju Huang, Yanli Mao, Growth research of Sn nanoparticles deposited on Si(0 0 1) substrate by solid phase epitaxy, Applied Surface Science, 2010, 256, 6427-6432.
11. K.F. Wang, Z.L. Shen, P.S. Xu, H.B. Pan, C.W. Zou, J.F. Liu, Simple designs to avoid high-voltage discharge in a silicon electron beam-heating cell，Journal of Vacuum Science and Technology A，2007, 25(3): 629-630.
12. K.F. Wang, J.F. Liu, C.X. Peng, P.S. Xu, S.Q. Wei, Deposition of high density of Ge quantum dots on ultra-thin SiO2 /Si(111) film surface, Physica E, 2007, 39(1): 89-94.
国家发明专利：
1. 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法，公开号：CN104409553B.
2. 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制备方法，公开号：CN103762255B.
3. 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，公开号：CN103268852B.
4. 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，公开号：CN102938435B.
5. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，公开号：CN101908581B.
邮箱：kfwang@henu.edu.cn，wang.kefan@gmail.com
简介