联系人及邮箱：汪利梅 wanglimei@henu.edu.cn
放置地点：15号楼C座106
设备简介：型号：UHV MBE-LT STM;购置时间：2014年6月;国别/生产厂家：德国/CreaTec公司;仪器组成：真空泵组、进样室、制备室、扫描室、控制系统、低温杜瓦、减震台等。
仪器主要用途：
1.利用分子束外延技术进行高质量薄膜样品的制备。
2.利用STM技术对样品表面进行原子级分辨的结构表征。
3.利用STS技术对样品表面的电子态等进行局域表征。
4.利用Qplus-AFM技术对表面分子的化学键进行直接成像。
主要规格及技术指标：
1.样品台液氮冷却模块，使用液氦时样品台温度低于30 K，使用液氮时温度低于100 K；
2.具备直接给样品加热，电子束加热两种加热方式，当用电子束加热样品台时，温度可达到1800 K；
3.反射式高能电子衍射，Staib RHEED 15，能量范围: 500 eV-15 keV，束大小: 60 μm，束电流：80 μA。
4.超高真空低温扫描隧道显微镜，XY方向分辨率：室温下优于0.05 nm，5 K下优于0.01 nm； Z方向分辨率：室温下优于0.02 nm，5 K下优于0.01 nm，扫描头能量分辨率好于0.1 meV，最小隧穿电流小于100 fA；
5.用于4电极样品托的样品台，稳定性：77 K下XY方向的漂移小于0.5 nm/hour，5 K小于0.2 nm/hour；
6.样品解理器，NW 40 CF法兰，插入深度为240 mm。
仪器注意事项：
1.样品要求：导电薄膜或超薄层半导体材料且表面纳米级平整。
2.远离振动源。
3.须由专业人员操作。
简介