科学研究

多室PECVD沉积系统

信息来源: 发布日期: 2020-08-05

联系人及邮箱王科范 kfwang@henu.edu.cn

放置地点B座216房间;

设备简介:型号:HLD-3;生产厂家:北京北仪创新真空技术有限责任公司;

仪器主要用途

制备p型、i型和n型非晶/微晶硅薄膜,制备异质结硅薄膜太阳电池,沉积制备氮化硅、氧化硅、GeSi薄膜。

主要规格及技术指标:

1.极限真空5×10-5 Pa;

2.真空系统,分子泵+机械泵;

3.工作室温度,室温-500 ℃;

4.工艺气体,SiH4,B2H6,PH3,CH4,H2,Ar,GeH4。