联系人及邮箱：康朝阳 80020008@vip.henu.edu.cn
放置地点：15号楼C座105室
设备简介：型号：LMBE---Ⅲ；生产厂家：中国；
仪器主要用途：
用于生长光学晶体、铁电体、铁磁体、超导体及有机化合物等薄膜材料，尤其适用于生长高熔点、多元素及含有气体元素的复杂层状超晶格薄膜材料。
主要规格及技术指标：
1.极限真空度6.67×10-8 Pa，Pulse-to-Pulse稳定度1%；
2.高能电子衍射仪最高能量25 kV，最大束流100 μA，最小束斑0.5 mm；
3.离子轰击电压3 kV，电流200 mA；
4.激光介质KrF，输出激光波长248 nm，脉冲宽度25 ns；
5.最大重复频率10 Hz，最大脉冲能量700 mJ/pulse，最大平均功率5 W；
6.光束尺寸（V×h）24×6-12 mm，光束发射角（ V×h ）3×1 mrad。
简介